IPI072N10N3G Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS® 3
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 150W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO262-3-1
Verpackung / Koffer: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA