PSMN8R5-100ESFQ NXP Semiconductors Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: NXP Semiconductors
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 97A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3181 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 183W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: I2PAK
Verpackung / Koffer: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA