IRLMS6702TRPBF Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: Micro6??TSOP-6)
Verpackung / Koffer: SOT-23-6
Basisproduktnummer: IRLMS6702