GT110N06D5 Goford Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: GT
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1202 pF @ 30 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 69W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-DFN (4.9x5.75)
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN