BTS244ZE3062ANTMA1 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: *
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 55 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 170W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO263-5-2
Verpackung / Koffer: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB