NVD4806NT4G-VF01 onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: Automotive, AEC-Q101
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 11.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 11.5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DPAK-3
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63