PMCM4401VPEZ NXP Semiconductors Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: NXP Semiconductors
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 12 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 6 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 400mW (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 4-WLCSP (0.78x0.78)
Verpackung / Koffer: 4-XFBGA, WLCSP