2N7002K HY Electronic (Cayman) Limited Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: HY Electronic (Cayman) Limited
Serie: 2N7002K
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 340mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 350mW (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23
Verpackung / Koffer: -