IXFN38N100Q2 IXYS Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: IXYS
Serie: HiPerFET?? Q2 Class
Paket: Tube
Produktstatus: Not For New Designs
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 38A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 890W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Chassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-227B
Verpackung / Koffer: SOT-227-4, miniBLOC
Basisproduktnummer: IXFN38