NVH4L020N090SC1 onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: Automotive, AEC-Q101
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 900 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 116A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 60A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 484W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4L
Verpackung / Koffer: TO-247-4