BSC026N02KSG Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 25A (Ta), 134A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 52.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TDSON-8-1
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN