BSO051N03MSGXUMA1 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS?? M
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 14A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.5W
Betriebstemperatur: -55°C~150°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-DSO-8
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)