IXTB30N100L IXYS Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: IXYS
Serie: Linear
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 20 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 800W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PLUS264??