2SK2729-E Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 500 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 20A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 150W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3P
Verpackung / Koffer: TO-3P-3, SC-65-3