Hersteller: Microchip Technology
Serie: POWER MOS V®
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 38A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 475 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-264 [L]
Verpackung / Koffer: TO-264-3, TO-264AA
Basisproduktnummer: APT6015
