NTMJS0D9N04CTWG onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 52A (Ta), 342A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 0.81mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Vgs (Max): 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 4.2W (Ta), 180W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-LFPAK
Verpackung / Koffer: SOT-1205, 8-LFPAK56
Basisproduktnummer: NTMJS0