NTMYS4D6N04CLTWG onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 21A (Ta), 78A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: LFPAK4 (5x6)
Verpackung / Koffer: SOT-1023, 4-LFPAK
Basisproduktnummer: NTMYS4