STP10P6F6 STMicroelectronics Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: DeepGATE?? STripFET??VI
Paket: Tube
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 30W (Tc)
Betriebstemperatur: 175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: STP10