FCMT360N65S3 onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: SuperFET® III
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 83W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 4-PQFN (8x8)
Verpackung / Koffer: 4-PowerTSFN
Basisproduktnummer: FCMT360