SI4451DY-T1-E3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 12 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 8.25mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 850µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SOIC
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Basisproduktnummer: SI4451