NTMFS4H013NFT3G onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Last Time Buy
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 25 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 43A (Ta), 269A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3923 pF @ 12 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Basisproduktnummer: NTMFS4