2SK3479-Z-E1-AZ Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Last Time Buy
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 83A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-263, TO-220SMD
Verpackung / Koffer: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB