PSMN1R0-40ULDX Nexperia USA Inc. Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 280A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Vgs (Max): -
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 164W
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: LFPAK56, Power-SO8
Verpackung / Koffer: SOT-1023, 4-LFPAK
Basisproduktnummer: PSMN1R0