IPU80R900P7AKMA1 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??P7
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 800 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 45W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO251-3
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basisproduktnummer: IPU80R900