1HN04CH-TL-W onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 270mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 140mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): -
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 3-CPH
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproduktnummer: 1HN04