SISH112DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 11.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.5W (Tc)
Betriebstemperatur: -50°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® 1212-8SH
Verpackung / Koffer: PowerPAK® 1212-8SH
Basisproduktnummer: SISH112