LND150N3-G-P013 Microchip Technology Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Tape & Box (TB)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 500 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 30mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
FET-Funktion: Depletion Mode
Verlustleistung (max.): 740mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92-3
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basisproduktnummer: LND150