IRF6811STRPBF International Rectifier Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: International Rectifier
Serie: DirectFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 25 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DirectFET??Isometric SQ
Verpackung / Koffer: DirectFET??Isometric SQ