IPS65R1K0CEAKMA2 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??CE
Paket: Tube
Produktstatus: Not For New Designs
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 68W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO251-3-342
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basisproduktnummer: IPS65R1