SI8481DB-T1-E1 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen III
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 9.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.8W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Verpackung / Koffer: 4-UFBGA
Basisproduktnummer: SI8481