DMP65H20D0HSS-13 Diodes Incorporated Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.9W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SO
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)