SI4774DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: SkyFET®, TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT)
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 15 V
FET-Funktion: Schottky Diode (Body)
Verlustleistung (max.): 5W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TA)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SOIC
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Basisproduktnummer: SI4774