NTTFS080N10GTAG onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4.1A (Ta), 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 560.5 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-WDFN (3.3x3.3)
Verpackung / Koffer: 8-PowerWDFN