SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSIII
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 4 V
Vgs (Max): ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 10 V
FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.): 500mW (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: UFV
Verpackung / Koffer: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Basisproduktnummer: SSM5G10