SIS698DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 19.8W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® 1212-8
Verpackung / Koffer: PowerPAK® 1212-8
Basisproduktnummer: SIS698