NTE2378 NTE Electronics, Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 900 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 120W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3P
Verpackung / Koffer: TO-3P-3, SC-65-3