FDP2D3N10C onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: PowerTrench®
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 222A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11180 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 214W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220-3
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: FDP2D3