DMN2015UFDE-7 Diodes Incorporated Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 10.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 660mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: U-DFN2020-6 (Type E)
Verpackung / Koffer: 6-PowerUDFN
Basisproduktnummer: DMN2015