2N6760TXV Harris Corporation Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Harris Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 400 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 75W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3
Verpackung / Koffer: TO-204AA