PMV65XPVL Nexperia USA Inc. Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 480mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-236AB
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproduktnummer: PMV65