NTE464 NTE Electronics, Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 25 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 10A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 600Ohm @ 0A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 10A
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
FET-Funktion: Standard
Verlustleistung (max.): 800mW (Tc)
Betriebstemperatur: 175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-72
Verpackung / Koffer: TO-72-3