NTE454 NTE Electronics, Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 60mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 15 V
FET-Funktion: Standard
Verlustleistung (max.): 1.2W
Betriebstemperatur: -65°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-72
Verpackung / Koffer: TO-72-3