RJK60S5DPK-M0#T0 Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 20A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
FET-Funktion: Super Junction
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3PSG
Verpackung / Koffer: TO-3P-3, SC-65-3