RBA250N10CHPF-4UA02#GB0 Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 250A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 125A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Betriebstemperatur: 175°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-263-7
Verpackung / Koffer: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB