Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 240 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 540mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 5mA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92-3
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basisproduktnummer: VN2224
