DMN62D4LFB-7B Diodes Incorporated Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 407mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 30 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 500mW
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: X1-DFN1006-3
Verpackung / Koffer: 3-UFDFN
Basisproduktnummer: DMN62