SCTWA90N65G2V-4 STMicroelectronics Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 119A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 565W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~200°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: HiP247??Long Leads
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Basisproduktnummer: SCTWA90