IPT015N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: StrongIRFET??2
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-HSOF-8
Verpackung / Koffer: 8-PowerSFN