RM45N600T7 Rectron USA Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Rectron USA
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 44.5A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 431W
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247
Verpackung / Koffer: TO-247-3