IST019N08NM5AUMA1 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 80 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 32A (Ta), 290A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 148µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 40 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 313W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-HSOF-5-1
Verpackung / Koffer: 5-PowerSFN
Basisproduktnummer: IST019N